TN15
利用MOCVD技术和光电子器件工艺成功制备了P-i-n结构的P-ZnSe-(Zn0.65Cd0.35Se-ZnSeMQW)-n-ZnSe自电光效应器件。在这种自由光效应器中,在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。
郑著宏 张吉英. Zn0.65Cd0.35Se—ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和电光调制[J].光电子激光,1996,(4):199~201,209