降低VCSELs激射阈值途径的理论研究
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中图分类号:

TN248.4

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国家自然科学基金资助项目 (10 1740 5 7),国防科技预研跨行业基金资助项目 (5 410 2 0 40 2 0 1DZ0 2 0 2 )


Study on Decreasing Threshold Current Density of VCSELs
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    摘要:

    针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子陆垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值电流密度的解析表达式,运用MATLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真,研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径;有源层选用量子阱实现微腔结构,腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R:改进外延生长技术在降低各种损耗。

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引用本文

张晓霞 潘炜 等.降低VCSELs激射阈值途径的理论研究[J].光电子激光,2002,(12):1211~1214

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  • 最后修改日期:2002-02-14
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