TN248.4
国家自然科学基金资助项目 (10 1740 5 7),国防科技预研跨行业基金资助项目 (5 410 2 0 40 2 0 1DZ0 2 0 2 )
针对量子阱有源层的结构特点,考虑增益和载流子浓度呈对数关系,建立量子陆垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程,导出了阈值电流密度的解析表达式,运用MATLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真,研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径;有源层选用量子阱实现微腔结构,腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R:改进外延生长技术在降低各种损耗。
张晓霞 潘炜 等.降低VCSELs激射阈值途径的理论研究[J].光电子激光,2002,(12):1211~1214