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倒置型PLED的电致发光特性研究
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[cstr]
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中图分类号:

TN383.1 TN312.8

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(6007011，69907002)，国家"863"计划资助项目(2002AA303261)，天津市自然科学基金资助项目(023602011)


Study on Electroluminescence of Inverted PLED
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    摘要:

    提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。

    Abstract:

    参考文献
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引用本文

杨广华,吴春亚,马海英,李娟,周祯华,孟志国,熊绍珍.倒置型PLED的电致发光特性研究[J].光电子激光,2004,(11):1270~1273

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