光注入X结GaAs全光开关的设计
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TN25

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国家自然科学基金资助项目(60177012),国家重点基础研究发展规划资助项目(G1999033104)


The Design of Photo-injected X Junction GaAs All Optical Switch
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    设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明.改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达10^0~10^2ns。

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引用本文

陈克坚 杨爱龄 唐奕 江晓清 王明华.光注入X结GaAs全光开关的设计[J].光电子激光,2004,(4):406~409

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