摘要:用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3∶Eu荧光薄膜,并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3∶Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能;600℃退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。

摘要:分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO/Alq3/Al;ITO/Alq3/LiF(1.0nm):Al;ITO/Alq3/LiF(1.5nm)∶Al;ITO/Alq3/LiF∶(2.0nm)Al。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。

摘要:采用365nm的门光束和633nm的记录光,在LiNbO3∶Fe∶Cu晶体中实现了双色记录和无损读出。通过适当的预敏化,在门光束光强与记录光强分别为20mW/cm2和390mW/cm2时,得到的灵敏度和饱和衍射效率分别为0.004cm/J和37%。同时还研究了LiNbO3∶Fe∶Cu晶体中的暗保存时间、光擦除时间常数以及用脉冲光作门光束时的双色存储性质。

摘要:~~编委风采

摘要:本文介绍了光纤通信中使用的光开关及其阵列、组合型光无源器件、光纤光栅、光纤激光器、光纤放大器、全光波长变换器、MEMS器件、光电集成器件等的近期研发现状,并展望了光器件未来的发展趋势.

摘要:采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法，在保持其它参量不变的条件下，通过改变SiH，浓度(SC)成功地制备了一系列Si基薄膜样品。对材料特性的测试结果表明，同射频PECVD相比VHF-PECVD技术提高了薄膜的沉积速率．并且SC大相应的沉积速率也大；微区Raman谱测试计算结果表明，样品的晶化率(Xo)随SC、的逐渐增大而减小；X射线衍射(XRE))测试结果计算显示．样品的晶粒尺寸在20～30nm之间原子力显微镜(AFM)和微区Raman谱测试分析结果一致表明，过渡区在SC、在6％～8％之间；激活能测试结果表明，制备出接近本征的微晶Si材料。

摘要:将表面亲水性处理过的玻璃和Si片在室温、大气的环境下干燥，进行温度为150C以下、时间为20～200h的预键合。预键合后，Si和玻璃基片表面能有显著的提高，水分子和Si表面Si-OH原子团中的O原子连在一起，OH团数量增加了许多，形成较多的H键。预键合的Si-玻璃基片在200C下退火．消除由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力。2基片的Si-OH间发生聚合反应．产生水及si-O键，使得基片键合的表面能得到了更好的提高、测量了室温键合时间对Si玻璃表面能力的影响以及退火时间对键合强度的影响。实验结果证明．这项技术对Si-玻璃器件的键合十分有效。

摘要:为获得优质的有机电致发光器件．它的发射光谱是一个关键的因素。传统的方法是采用红、绿、蓝色多层叠合产生白光，但难以控制各基色的峰值强度。制备了利用混合型聚合物作为白色发光层的单层结构有机电致发光器件((OLED)，其制备过程比多层结构器件简单得多。一种热处理方法(180℃，1h)用来控制此类白光OLED中各主要电致发光光谱峰值强度间的比例。经过热处理后，这种白光器件的电致发光光谱很接近于Nichia公司的无机白色发光二极管产品的电致发光光谱。由此可推测器件的色坐标接近于白色等能点，而且其阈值电压比热处理前降低了1V。

摘要:以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层．在结构为ITO／TiO2／NPB／Alq／LiF／A1的器件中，改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA／cm^3时，有缓冲层的器件发光效率为5cd／A，而没有缓冲层的器件发光效率为3．45cd／A，有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。

摘要:利用构建在SIMULLNK平台下垂直腔面发射激光器(VCSELs)动态仿真模型，研究了自发辐射因子对多次外光反馈下VCSEs非线性行为的影响。结果表明，随外腔长(外腔反射率)增加，VCSELs顺次(逆次)经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域：进一步得出，增大自发辐射因子可抑制系统的非线性行为，提高器件稳定性。

摘要:利用1.5ps高峰值功率脉冲泵浦色散位移光纤(DSF)得到的超连续(SC)谱实验结果:大于泵浦波长一侧的20dB带宽大于266.8nm,其中200nm范围内不平坦度<±2dB,1690～1780nm的不平坦度<±0.25dB;小于泵浦波长一侧的10dB带宽232nm,其中145nm范围内不平坦度<±2dB,1306nm～1368nm的不平坦度<±0.25dB。利用F P滤波器进行谱切片,在大于泵浦波长一侧和小于泵浦波长一侧分别得到顶部平坦的间隔2.52nm的95和57个波长输出。

摘要:报道了用两束相干激光在HF溶液中的多孔Si(PS)表面上干涉形成光强周期分布，通过光溶解得到了孔隙率周期变化的结构，从而制备出氧化PS周期性波导光栅。实现了辐射模与波导中传输模之间的耦合，并由外部入射光波或衍射光的方向确定了波导层的有效折射率。

摘要:采用平均功率分析算法，数值求解多抽运宽带拉曼光纤放大器(FRA)增益过程的功率耦合方程；利用遗传算法强大的数值搜索能力，对10波长抽运FRA的抽运光进行功率优化；获得了80nm带宽，增益波动低于0．4dB的结果。

摘要:根据吡虫啉农药在紫外光的照射下能发射荧光的机理，研制了一种监测吡虫啉的荧光光纤光谱仪。该仪器采用氙灯作为激发光源，结合光纤传感和CCD技术，实现了对吡虫啉杀虫剂的快速测定。同时，该仪器还可用于河水和地下水中痕量吡虫啉的测量，其回收率接近100％。

摘要:研究了一种基于PC机的多路信号处理机制．建立了数学模型进行实时自适应处理。系统采用了先进的4路数据处理，提高了测温仪系统的测温精度和速度。经过实际试用．当测温范围在800～1300℃时，系统测温误差小于0．5％。

摘要:用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3：Eu荧光薄膜．并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3：Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明：随着温度升高，薄膜的结晶程度提高，弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷，提高了薄膜的发光性能：600 O退火处理的光致发光中，617nm和596nm的谱线最强。

摘要:采用线性化近似方法计算了关联噪声驱动的单模激光的强度涨落，发现激光强度涨落C(0)随衰减系数γ和泵噪声自关联时间τ1的变化曲线是单调减少的，随泵噪声强度Q的变化曲线中存在极小值，其大小和位置均受τ2和τ3的影响。

摘要:在S波段对3种不同配置的色散补偿型分布式光纤拉曼放大器(FRA)进行了研制。实验证明：5km DCF-50km G652光纤色散补偿型分布式FRA的增益和噪声特性优于50km、G652-5km DCF光纤和25km G652-5km DCF-25km G652光纤色散补偿型分布式FRA。测量了5km DCF-50km G652光纤色散补偿型分布式FRA的增益光谱和噪声谱。存DWDM光纤传输系统中，色散补偿分布式FRA对S波段1520nm光谱波段2个光谱间隔为0．262nm(频率间隔为34．1GHz)信号信道光谱的传输特性优于50km G652正色散FRA和5km DCF负色散FRA。

摘要:用激光干涉型光学头产生干涉条纹，采用空间光调制器(SLM)进行子图输入实现光学可变图像(DVD)的快速光刻，分辨率可达5080dpi，平均运行效率达8O00 dots s(1270pdpi)以上。研制了大幅面激光光刻系统，给出了实验结果。

摘要:应用平面波法得到了Bragg光纤中光子能带结构：应用全矢量模型分析了高折射率芯Bragg光纤中的模式。研究结果表明，高折射率芯Bragg光纤巾的模式可以通过全反射和光子禁带效应两种机制进行传输；由于光纤包层巾多层介质结构及高折射率对比的引入，Bragg光纤具有与阶跃光纤不同的新颖传输特性。作为例子，设计了在800nm附近色散平坦的Bragg光纤。

摘要:用宽带光源和可调谐光滤波器(TOF)构成可调谐窄带光源，对测量光纤光栅(FBGs)阵列和参考FBGr进行波长扫描，借助光电探测器和信号处理系统实现复用传感系统的解调。实验证明，该解调方案是有效可行的，且可获得较高的信噪比和测量精度，具有对40个以上FBGs传感网络进行寻址解调的潜在能力。

摘要:分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs)：ITO A1q^3／Al；ITO／A1q^3／LiF(1．0nm)：A1；ITO／A1q^3／LiF(1．5nm)：A1；ITO／A1q^3／LiF；(2．0nm)A1。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明：适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性，而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。

摘要:采用化学腐蚀法分别在单晶Si和多晶Si上制备了多孔Si。对室温下HF、HNO3的不同配比进行了实验比较,用显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察了多孔Si的表面形貌,用紫外激发观察了它的荧光光谱并用反射光谱测试结果研究了多孔Si的光学特性。采用一步多孔Si法制备了1cm×1cm的单晶和多晶Si电池,比较了制备多孔Si前后电池的各项性能参数。实验表明:多孔Si对于提高单晶Si和多晶Si电池的电学特性都有重要作用。

摘要:结合电路分析了TEA CO2激光器的动态放电过程．综合考虑了气体放电中发生的电离、吸附及复合等碰撞过程，建立详细的参数模型，得到了电子密度、放电电流及放电电压随时间变化的波形，并将模拟结果与实验结果进行了对比；模拟并分析了放电回路中部分参量对放电特性的影响，获得了有利于激光器稳定放电的条件。

摘要:提出了一种利用共焦光学结构来检测红外上转换材料被激发光的方法。采用下述步骤来提高探测灵敏度:基于红外上转换材料的光谱分布,专门设计了具有对激发外光全反射、对被激发的可见光全透射的分光反射器,用共焦光学结构有效地提高了材料的上转换效率,采用在可见光区灵敏度、在红外光区截止响应GaAsP半导体光敏器件,配合专用放大电路,实现了被激发可见光的微弱光检测。检测器能够稳定检测混合比>0.3%的红外上转换材料,给出了实验结果。

摘要:利用7根多晶态GaO2空芯传能光纤，将7台50W的CO2激光器输出的激光能量合并成一束激光，使输出的激光功率达到319W，聚集后激光光斑直径为0．2mm，由此实现低功率激光器合并成高功率激光。

摘要:对频谱傅立叶分析法测量偏振模色散进行了理论、模拟与实验研究。利用这种方法，分别对由一段、两段、三段保偏光纤组成的PMD模拟器进行了数值模拟．并对保偏光纤、单模光纤以及商用模拟器进行了实验测量，得到了很好的结果。将这种方法和波长极值计数测量法进行了比较，研究表明，由于考虑了偏振模色散的统计特性，频谱傅立叶分析法适于测量强耦合光纤。

摘要:采用365nm的门光束和633nm的记录光，在LiNbO3：Fe：Cu晶体中实现了双色记录和无损读出。通过适当的预敏化，在门光束光强与记录光强分别为20mW／cm^2和390mW／cm^2时，得到的灵敏度和饱和衍射效率分别为0．004cm／J和37％。同时还研究了LiNbO3：Fe：Cu晶体中的暗保存时间、光擦除时间常数以及用脉冲光作门光束时的双色存储性质。

摘要:采用自行研制的光纤力学传感器研究了在不同能量的脉冲激光作用下，水中靶材的力学效应。实验和理论分析研究结果表明，水中靶材依次受到激光烧蚀压力及空泡溃灭产生两次射流冲击力的作用，冲击力幅值随作用激光能量的增加均先上升后下降；而射流产生时刻及空泡溃灭时刻随激光能量增加呈单调递增趋势；且射流产生的时刻早于空泡溃灭的时刻。

摘要:针对目前傅立叶变换轮廓术(FTP)测量范围的公式仅适用于投影呈一维变化的光栅条纹的情况，对FTP的测量范围进行了更深人的讨论，给出了适用于投影呈二维变化的光栅条纹的普适的测量范围公式。得出了当被测物体的频谱呈现非圆形分布时，可以采用改变投影的光栅条纹的方向消除频谱混叠，达到在不增加条纹密度和图像获取装置的分辨率的情况下减小或消除基频和零频问的混叠。

摘要:本文提出了一种基于预测编码并对量化误差进行四叉树编码从而实现对灰度图像无损压缩的方法。采用固定预测系数的算法，使得预测过程速度很快；通过四叉树编码方法处理量化误差，避免了对小数编码和处理这一复杂的过程。整个实现过程十分简单，实验结果显示，图像通过预测器后的平均码长明显小于原始图像的熵。

摘要:从非线性薛定谔方程出发，分析了自相位调制(SPM)和群速度色散(GVD)效应对超连续(SC)谱的贡献。利用主动锁模光纤激光器作为泵浦光源。对色散位移光纤(DSF)中的SC谱展宽进行了实验研究。理论和实验结果表明，光纤中，SC谱的产生主要是SPM和GVD共同作用的结果：对于皮秒泵浦脉冲和常规光纤，仅考虑SPM和GVD效应，就可以较精确地描述光纤中SC谱的产生过程。

摘要:利用Li近期提出的平顶光束新模型，分别推导出柱坐标系下平顶光束的M^2因子和通过傍轴ABCD光学系统传输后光场分布的解析公式。以透镜系统为例。给出了柱坐标系下平顶光束聚焦场分布的解析表达式．并对平顶光束的聚焦特性进行了详细分析。研究表明，平顶光束的M^2因子仅由其阶数M确定，其聚焦特性与阶数M以及系统的菲涅尔数N等有关。

摘要:基于虚、实部互关联的量子噪声及泵噪声驱动的单模激光模型的Fokker—Planck方程，运用平均弛豫近似方法研究了该激光模型的动力学性质。计算了光强关联函数以及相应的平均弛豫时间，讨论了量子噪声实虚部的互关联强度对光强关联函数以及弛豫时间的影响。结果表明，在阈值以上量子噪声实、虚部关联的存在总是使得光强涨落的弛豫变缓。

摘要:改进了原无限大模型，求解了无限大空间中光子密度波的扩散方程，找出了相应条件下的Green函数，演算出了与入射面相对应的光子通量和介质中的吸收系数改变量之间的关系，所用模型更接近于实验研究情况，所得结论能直接用于多散射介质中成像问题的实验研究。即通过对光子通量的检测，反演出吸收系数改变量的分布，从而实现用光子密度波理论在多散射介质中的成像问题的解决。

摘要:应用线性组合算符方法和幺正变换方法，研究在抛物势作用下的柱型量子点中极化子的性质。对Zns、AgBr量子点的数值计算表明：量子点中极化子的基态能量E^o随有效受限ι^o长度zo、柱高L的减小而增加，ι^o或L愈小，增加愈快；当ι^o或L减小到某一值(α=0．649、L=20．0nm；ι^o=7．2nm；或α=0．649、ι^o=20．0nm、L=10．0nm)时，极化子能量将大于零；平均声子数随耦合常数的增加而增加。